Производство:
Si p-n-p биполярные двухэмиттерные транзисторы
КТ118А; 2T118А
КТ118Б; 2T118Б
КТ118В; 2T118В
Si биполярные n-p-n малой и средней мощности СВЧ малошумящие транзисторы
КТ372А; 2Т372А
КТ3132Д-2 КТ3132Е-2
КТ3115А-2; 2Т3115А-2; 2Т3115Б-2; КТ3115В-2; КТ3115Г-2; КТ3115Д-2
2Т3124А-2; 2Т3124Б-2; 2Т3124В-2
КТ372В; 2Т372В
КТ372Б; 2Т372Б
КТ391В-2
2Т3114А-6
2Т3114Б-6
КТ3114Б-6
КТ3114В-6
2Т3114В-6
2Т682А-2*
2Т682Б-2**
КТ391А-2; 2Т391А-2
КТ391Б-2; 2Т391Б-2
КТ3132А-2; 2Т3132А-2
КТ3132Б-2; 2Т3132Б-2
КТ3132В-2; 2Т3132В-2
КТ3132Г-2; 2Т3132Г-2
КТ3132Д-2
КТ3132Е-2
КТ3115А-2; 2Т3115А-2
2Т3115Б-2
КТ3115В-2
КТ3115Г-2
КТ3115Д-2
2Т3124А-2
2Т3124Б-2
2Т3124В-2
Si n-p-n биполярные средней мощности СВЧ транзисторы
КТ657А-2; 2Т657А-2
КТ657Б-2; 2Т657Б-2
КТ657В-2; 2Т657В-2
КТ640В-2
КТ640Б-2
КТ640А-2; 2Т640А-2
КТ643А-2; 2Т643А-2
КТ642А-2; 2Т642А-2
2Т671А-2
КТ647А-2; 2Т647А-2
КТ648А-2; 2Т648А-2
Si n-p-n биполярные мощные переключательные транзисторы
2Т9113А1/ПМ
КТ866Б
КТ866А; 2Т866А
2T874A
KT874A
2T874Б
KT874Б
KT862Б; 2T862Б
KT862B; 2T862B
KT862Г; 2T862Г
Si n-p-n биполярные мощные ВЧ транзисторы
2Т951Б
2Т950Б
2Т912А
2Т912Б
КТ912А
КТ912Б
КТ980А; 2Т980А
КТ921А; 2Т921А
КТ921Б
2Т950А
2Т951В
2Т951А
2Т964А
КТ980Б; 2Т980Б
Si n-p-n биполярные мощные СВЧ транзисторы
2Т996В-2
2Т996Г-2
КТ996А-2
КТ996Б-2
КТ996В-2
2Т988А; 2Т988Б
2Т987А
2Т988Б
2Т9118Б
2Т946А
2Т9118В
КТ979А; 2Т979А
2Т9118А
2Т9140А
КТ919В; 2Т919В
КТ919Б; 2Т919Б
КТ919Г
КТ919А; 2Т919А
2Т942Б
2Т942А
КТ942В
КТ948Б; 2Т948Б
КТ948А; 2Т948А
2Т989Г
2Т9122Б
2Т9122А
2Т989В
2Т989Б
2Т989А
2Т9137А
2Т9137Б
2Т9139Б
2Т9124Б
КТ937А-2; 2Т937А-2
КТ937Б-2; 2Т937Б-2
2Т982А-2
2Т9119А-2
2Т963Б-2
2Т963А-2
2Т995А-2
2Т9135А-2
2Т996А-2
2Т996Б-2
Si p-n-p биполярные мощные СВЧ транзисторы
2Т974А
2Т974Б
2Т974В
2Т974Г
Si n-p-n биполярные мощные СВЧ импульсные транзисторы
2Т9127К*
2Т9127И
2Т986Г
2Т9127Ж*
2Т9127Е*
2Т9127Д
2Т9127Г*
2Т9127В
2Т9127Б*
2Т9127А*
2Т9118В
2Т9140А
КТ977А; 2Т977А
2Т975Б
2Т975А
2Т986Б
2Т986А
2Т986В
2Т994Б
2Т994А
*with input indutance
Si малошумящие полевые транзисторы с р-п переходом
КП312А; 2П312А
КП312Б; 2П312Б
КП341А
КП341Б
2П341А *
2П341Б **
Si мощные переключательные МДП транзисторы
2П701Б А842Б А842А
2П701А А842А А842Б АА842Б А842А
2П803Б А843Б
2П803А А843А А843А
2П762А А874
2П762Д А874
2П762Н А874
IGBT
Si биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ)
2Е701Б
2Е701А А842Б А842А
2Е701В
2Е701Г
Si мощные ВЧ и СВЧ МДП транзисторы
КП903А; 2П903А
КП903Б; 2П903Б
КП903В; 2П903В
КП904Б; 2П904Б
КП904А; 2П904А
КП901Б; 2П901Б
КП901А; 2П901А
2П902А
2П902Б
КП902А
КП902Б
КП902В
Малошумящие GaAs полевые транзисторы
АП324А-2
АП324Б-2
АП324В-2
3П324А-2
Средней мощности и мощные GaAs полевые транзисторы
АП967Д-2
АП967В-2
АП967Г-2
АП967Ж-2
АП967Б-2
АП967Е-2
АП967А-2
АП915А-2; 3П915А-2
АП915Б-2; 3П915Б-2
АП602В-2
АП602Д-2; 3П602Д-2
3П910А-2
3П910Б-2
АП602Г-2; 3П602Г-2
3П602В-2
АП602Б-2; 3П602Б-2
АП602А-2; 3П602А-2
АП606А-2
АП606Б-2
АП606В-2
3П606А-2
3П606Б-2
АП603А-2; 3П603А-2
3П606В-2
АП603Б-2; 3П603Б-2
АП604Г-2; 3П604Г-2
АП604В-2; 3П604В-2
АП604Б-2; 3П604Б-2
АП604А-2; 3П604А-2
NOTE:* -в разработке
| Контакты:
РОССИЯ 105187, г. Москва, Окружной проезд 27
Тел/факс: +7 (095) 366-54-01
|
